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PT系列扩散硅压力变送器

所属分类:
过程仪表
Pt系列扩散硅压力变送器全部采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照国家标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代压力变送器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)再激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。
产品描述
测量原理

Pt系列扩散硅压力变送器全部采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照国家标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代压力变送器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)再激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。

主要特点
  • 输出稳定灵敏度高;
  • 精度高,重复性好;
  • 良好的温度特性;
  • 316L不锈钢隔离膜片结构;
  • 高可靠性与抗干扰性能。
  •  

 

 

主机参数指标
型号 PT10S PT20S
测量范围 表压:0-1KPa-100MPa
绝压:0-100KPa-35MPa
负压:-0.1MPa-2MPa
-0.1-0/0.01-60Mpa
精度等级 0.5% 0.5%
稳定性 ±0.2%FS/年 ±0.2%FS/年
输出 4-20mA 4-20mA
电源 12-32V 12-32V
温度范围 -40°C-+85°C

补偿温度:-10-70℃;⼯作温度:-20-85℃

介质温度:-20-85℃;储存温度:-40-125℃

防护等级 IP65 IP65

 

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1000

PT系列扩散硅压力变送器

Pt系列扩散硅压力变送器全部采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照国家标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代压力变送器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)再激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。
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过程仪表
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测量原理

Pt系列扩散硅压力变送器全部采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照国家标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代压力变送器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)再激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。

主要特点
  • 输出稳定灵敏度高;
  • 精度高,重复性好;
  • 良好的温度特性;
  • 316L不锈钢隔离膜片结构;
  • 高可靠性与抗干扰性能。
  •  

 

 

主机参数指标
型号 PT10S PT20S
测量范围 表压:0-1KPa-100MPa
绝压:0-100KPa-35MPa
负压:-0.1MPa-2MPa
-0.1-0/0.01-60Mpa
精度等级 0.5% 0.5%
稳定性 ±0.2%FS/年 ±0.2%FS/年
输出 4-20mA 4-20mA
电源 12-32V 12-32V
温度范围 -40°C-+85°C

补偿温度:-10-70℃;⼯作温度:-20-85℃

介质温度:-20-85℃;储存温度:-40-125℃

防护等级 IP65 IP65

 

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